دیتاشیت IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD60R1K4C6
حجم فایل 35.498 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD60R1K4C6
  • Power Dissipation (Pd): 28.4W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,1.1A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه